Tranzisztoros építőelemek
Elektronika II
Gingl Zoltán - Műszaki Informatika Tanszék, Szegedi Tudományegyetem
2022 © CC BY 4.0,

Tartalom
Egyszerű áramgenerátorok
Áramtükör
Egyszerű áramtükör
Diódakapcsolt tranzisztorral felépített áramtükör
Widlar áramtükör
Wilson áramtükör
Javított Wilson áramtükör
FET áramgenerátorok
Differenciálerősítők
Kisjelű leírás
Nagyjelű leírás
Belső negatív visszacsatolás
Bemeneti és kimeneti tulajdonságok
Megjegyzések
FET differenciálerősítők
Szélessávú kapcsolások
A tranzisztorok frekvenciatartományi leírása
A közös emitteres kapcsolás moodellje
Kaszkód kapcsolás
Differenciálerősítő szélessávú fokozatként
Kaszkód differenciálerősítő
Teljesítmény-fokozatok
Emitterkövető - A osztály
Ellenütemű emitterkövető - B osztály
Ellenütemű emitterkövető - AB osztály
Áramhatárolás
Áramgenerátorok
Egyszerű áramgenerátorok
Egyszerű áramgenerátor kapcsolása látható az alábbi ábrán. Az áramgenerátor kimenete a kollektor, az RL terhelés erre van kötve. A kapcsolás ennek értékétől függetlenül biztosít állandó kollektoráramot, amíg az aktív mód feltételei teljesülnek.
A működést viszonylag egyszerű megérteni. A bázis közel állandó potenciálon van, amit az R1 és R2 ellenállásokból álltó feszültségosztó határoz meg. Célszerű úgy megválasztani az ellenállásértékeket, hogy a bázisáram ne befolyásolja számottevően az osztási arányt. Ebből következően az emitterfeszültség sem változik, mivel a bázis-emitter feszültség közel ≈0.7 V. Az emitteráram ennek megfelelően szintén állandó és ezzel a kollektoráram is az. Az alábbi összefüggések érvényesek tehát:
Végül a kimeneti áram (ami a kollektoráram)
Ideális áramgenerátorok kimeneti ellenállása végtelen nagy, azaz áramuk független attól, mekkora a kimeneti feszültség értéke. Fontos tehát ismerni, hogy az áramgenerátor-kapcsolás mekkora kimeneti ellenállással rendelkezik.
Tételezzük fel, hogy a kimeneti feszültséget (azaz a kollektorfeszültséget) megváltoztatjuk. Ha kiszámítjuk, mennyit változik ennek hatására a kimeneti áram (azaz a kollektoráram), akkor megkaphatjuk a kimeneti ellenállást is. Mivel a bázis gyakorlatilag állandó potenciálon van, így
tehát
Használjuk azt is ki, hogy
Ezek felhasználásával
Ezeket helyettesítsük be a kollektoráram kifejezésébe, így kapjuk:
Fejezzük ebből ki a kimeneti ellenállást, ami tehát a kollektorfeszültség és kollektoráram hányadosa:
Megállapíthatjuk, hogy ha az emitter földelt, azaz RE = 0 Ω, akkor a legkisebb a kimeneti ellenállás, megegyezik rCE-vel. A kimeneti ellenállás RE növelésével növelhető, de csak akkor, ha a kimeneti áramot nem csökkentjük, mert különben gm arányosan csökken. Növekvő RE esetén azonos kimeneti áramhoz növelt bázisfeszültség is szükséges. Állandó bázisfeszültség esetén RE növelése nem befolyásolja számottevően a kimeneti ellenállás értékét, mert ekkor gm arányos 1/RE-vel.
Az áram beállítását feszültségosztó helyett Zener-diódával is elvégezhetjük.
Ekkor a kollektoráram a dióda Zener-feszültségével az alábbi módon adható meg:
Áramtükör
A fenti áramgenerátorok többféle módon javíthatók. Néhány lehetőséget mutatnak be az alábbiak.
Egyszerű áramtükör
Az egyik probléma az, hogy a bázis-emitter dióda nyitófeszültsége hőmérsékletfüggő -2 mV/K hőmérsékleti tényezővel. Például 10ºC hőmérsékletnövekedés során VBE 20 mV-tal csökken, az emitter feszültsége tehát ennyivel növekszik, ami a kimenő áramot is megnöveli. Ezt úgy csökkenthetjük, hogy egy diódát kötünk a feszültségosztóba, aminek nyitófeszültsége VBE-hez közeli, és a hőmérséklete a tranzisztoréval közelítőleg megegyezik.
Ezzel elérhetjük, hogy a feszültségosztó árama arányos a kimeneti árammal, eltűnik az összefüggésekből a 0.7 V-os nyitófeszültség, az R2 és RE ellenállásokon ugyanakkora feszültség esik. Így a kimenő áram
Az áramgenerátor árama tehát jó közelítéssel arányos az osztóban folyó referenciaárammal, ezért a kapcsolást áramtükörnek nevezik.
Diódakapcsolt tranzisztorral felépített áramtükör
A diódás áramtükör hátránya, hogy a dióda nyitófeszültsége nem pontosan egyezik a tranzisztor bázis-emitter diódáéval. Lényegesen jobb megoldás a kollektor és bázis összekötésével diódaként kapcsolt tranzisztort használni az alábbinak megfelelően:
Egy integrált áramkörön belül nagy pontossággal egyeznek meg a tranzisztorok paraméterei, a hőmérsékletük is jó közelítéssel egyforma. Ez biztosítja, hogy T1 és T2 bázis- és kollektorárama is megegyezik. R1 árama viszont elágazik, így a RL terhelésen folyó kimeneti áram 2⋅IB-vel kisebb ennél.
Nagy pontossággal egyező paraméterű tranzisztorokat integrálnak egy tokba is matched transistors megnevezéssel. Példa ilyenre a BCM847BS és a MAT14.
Widlar áramtükör
A Widlar áramtükörnél a T2 tranzisztor emitterkörében egy ellenállás van, ami miatt a bázis-emitter feszültsége kisebb, mint T1 esetén, jelentősen kisebb így a bázisárama és a kollektorárama is. Emiatt kis értékű ellenállásokkal is lehetséges kis értékű áramot előállítani. Azt is láttuk, hogy az áramgenerátor kimeneti ellenállása nő, ha az emitterkörben ellenállás van.
A bázisok azonos feszültségen vannak, de a bázis-emitter feszültségek különböznek:
Ebből T2 emitterárama a következő:
A bázis-emitter feszültségeket fejezzük ki a kollektoráramokkal:
Végül a következőt kapjuk:
Az egyenlet felhasználható méretezési alkalmazásra adott feltételek mellett.
A Widlar áramgenerátor legismertebb alkalmazása a klasszikus 741-es műveleti erősítő egyik áramgenerátorának megvalósítása.
Wilson áramtükör
Az alábbi áramtükör ötletesen oldja meg, hogy a két ágban gyakorlatilag azonos áram folyjon.
A tranzisztorok nagy pontossággal azonos tulajdonságúak, így T1 és T2 IB bázis- és IC kollektoráramai azonosak. T3 bázisárama I2/B, emitterárama ennek (B+1)-szerese. Ez az emitteráram viszont megegyezik T2 kollektoráramának és T1 és T2 bázisáramainak az összegével:
IC tehát
I1 viszont IC és IB3 összege, így I2-vel kifejezve:
Végül:
Mivel B ≫ 1, az utolsó tag együtthatója nagyon kicsi, így a két áram nagy pontossággal egyezik.
Az áramkört elterjedten használják analóg integrált áramkörökben, műveleti erősítőkben.
Javított Wilson áramtükör
A javított Wilson áramtükörben egy negyedik tranzisztor látható:
Ebben az esetben is igaz, hogy
mert T4 kollektoráramának és bázisrámaának összege IC-vel egyezik meg, és épp ennyivel kisebb IB3 I1-nél. Ennek megfelelően ugyanakkora I1/I2 értéke, mint az előbbi esetben:
Ennek a megoldásnak az előnye az, hogy T1 és T2 kollektora közel azonos potenciálon van, mindkettő egy bázis-emitter nyitófeszültséggel kisebb T3 és T4 bázisfeszültségénél. Ennek megfelelően T1 és T2 működési körülményei még pontosabban azonosak, még kevésbé számít a kollektoráram függése a kollektor-emitter feszültségtől.
Referenciák
- U. Tietze, C. Schenk, Analóg és digitális áramkörök, Műszaki Könyvkiadó, 1993
- U. Tietze, C. Schenk, E. Gamm, Electronic Circuits. Handbook for Design and Application, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2008
- Török M.: Elektronika. Szeged, JatePress, 2000.
- Bipolar transistor - Electronics tutorials
- Bipolar junction transistor - Wikipedia
- Analog Devices, Electronics I and II
FET áramgenerátorok
Egyszerű áramgenerátorok
Egyszerű áramgenerátor kapcsolása látható az alábbi ábrán. Az áramgenerátor kimenete a drain, az RL terhelés erre van kötve. A kapcsolás ennek értékétől függetlenül biztosít állandó draináramot, amíg az aktív mód feltételei teljesülnek.
A működést viszonylag egyszerű megérteni. A gate állandó potenciálon van, amit az R1 és R2 ellenállásokból álló feszültségosztó hoz létre. Ebből következően a VS source-feszültség is állandó, mert ha csökkenne, akkor az áramnak is csökkennie kellene, azaz a gate-source feszültség nőne, ami viszont az áram növelésének irányába hat. Ugyanolyan negatív áramvisszacsatolásról beszélhetünk tehát, mint a közös drainű áramkör esetében.
A méretezéshez felhasználhatjuk, hogy
Mivel a drain és source áram megegyezik, ezért VS=ID⋅RS és VGS is kifejeztető a drainárammal, így
A méretezéshez általában először megadjuk a draináramot, ebből kiszámítjuk a gate-source feszültséget, majd meghatározzuk RS értékét. Ebből adódik a feszültségosztó méretezése is.
A kimeneti ellenállás ugyanúgy kapható meg, mint bipoláris tranzisztor esetén, felhasználhatjuk ugyanazt az összefüggést:
Kiürítéses módú FET-ekkel segédfeszültség nélkül is építhető áramgenerátor:
A beállítani kívánt draináram ismeretében kiszámíthatjuk az ellenállás értékét:
Áramtükör
Növekményes módú MOSFET-ekkel áramtükör építhető fel az alábbi módon:
Egy integrált áramkörön belül nagy pontossággal egyeznek meg a tranzisztorok paraméterei, a hőmérsékletük is egyforma. Mivel T1 és T2 gate-source feszültsége azonos, ez biztosítja, hogy draináramaik is nagy pontossággal megegyeznek. A gate irányába áram nem folyik, így ezzel sem kell számolnunk. T1 esetén a drain-source feszültség megegyezik a gate-source feszültséggel, az áram olyan értékre áll be, ami ennek megfelel, valamennyivel a Vth küszöbfeszültség fölé. Az referenciaáramot R1 segítségével állíthatjuk be.
Differenciálerősítők
A differenciálerősítők szimmetrikusak, két feszültségbemenettel és két feszültségkimenettel rendelkeznek, egyen- és váltófeszültségekkel is működnek. Bemenő jelnek általában a két bemeneti feszültség különbségét tekintjük, kimenő jelnek pedig a kimeneti feszültségek különbségét vagy az egyik ág kimeneti feszültségét. A differenciálerősítők alapvető részei számos áramkörnek, a műveleti erősítők bemeneti fokozata is differenciálerősítő.
Az alábbi ábra mutatja a differenciálerősítő alapáramkörét.
Ha a bemenetek azonos potenciálon vannak, azaz Vin1 = Vin2, akkor mindkét ág egyformán viselkedik. Feltételezzük, hogy a bázisáram elhanyagolgatóan kicsi a kollektoráramhoz képest (B≫1), így
Ha Vin1 ≠ Vin2, akkor a kollektoráramok is különbözőek, de összegük továbbra is I0, így I0/2-től vett eltéréseik össze nulla, amennyivel növekszik az egyik, annyival csökken a másik:
Célszerű a bemeneti feszültségeket is felbontani egy közös részre és az attól mért eltérésre:
Vcm az úgynevezett közös módusú jel, amely komponens mindkét jelnek része. Ezzel írhatjuk:
Kisjelű leírás
A kisjelű differenciális erősítés azt adja meg, hogy Vd kis változásához a kimeneti feszültségek mekkora változása tartozik. Tegyük fel, hogy Vd≠0 V. T1 és T2 bázis-emitter feszültségeinek a megváltozása a kiegyenlített esethez képest Vd/2, az egyik ennyivel nő, a másik ennyivel csökken. A szimmetria miatt a kapcsolás egyes ágai közös emitteres erősítőnek megfelelően működnek. Az közös emitteres kapcsolás kisjelű erősítése -gm⋅(RC∥rCE), így a Vd-re vonatkoztatott erősítés ennek a fele:
A differenciális erősítés értéke így
A kimeneti feszültségek különbségének megváltozása természetesen kétszer akkora, mint az egyes kimeneti feszültségek változása, így az erre vonatkoztatott erősítés Ad kétszerese.
Ideális differenciálerősítő esetén a kimeneti jelnek csak a bemeneti feszültségek különbségétől szabad függenie, azaz Vcm erősítésének nullának kell lennie. Valós esetekben ettől eltérést tapasztalunk. Tegyük fel, hogy Vd = 0 V, csak Vcm hatását vizsgáljuk. Ekkor T1 és T2 emitterei és bázisai is azonos potenciálon vannak, a két ágban folyó kollektor és emitteráramok is azonosak. Ha az áramgenerátor belső ellenállása végtelen nagy lenne, akkor az áramok értékei nem függenének Vcm értékétől, tehát a közös módusú erősítés nulla lenne. Ezt az alábbi kapcsolás teheti érthetővé:
Ideális áramgenerátort feltételezve az emitteráram megegyezik Ig-vel, így a kollektortáram β/(1+β)⋅Ig, amivel a kimeneti feszültség:
A kimeneti feszültség tehát ekkor nem függ a bázison levő bemeneti feszültségtől, az emitterfeszültségtől sem.
Ha az áramgenerátor Rg belső ellenállása véges, akkor ez az ellenállás a két közös emitteres erősítő ág közös emitterellenállásaként jelenik meg. Mivel a két erősítőág osztozik ezen az ellenálláson (úgy is vehetjük, hogy egy-egy 2⋅Rg ellenállás van az egyes emitterkörökben), így az erősítés a kollektor és emitterköri ellenállások hányadosának a fele. A közös módusú jelre így az egyes ágak áramvisszacsatolt közös emitteres erősítőként viselkednek, az erősítés képletét felhasználva kapjuk:
A differenciálerősítők fontos jellemzője az úgynevezett közös módusú elnyomási arány (common mode rejection ratio, CMRR), ami a differenciális és közös módusú erősítés aránya. A tárgyalt kapcsolás esetén ennek értéke:
A közelítéshez feltételeztük, hogy RC≪rCE és 2⋅Rg≫1/gm.
A közös módusú elnyomás egy számérték, melyet leggyakrabban dB egységekben adnak meg. Jegyezzük meg, hogy a fentieknél feltételeztük, hogy a tranzisztorok egyformák, ami a valóságban nem egészen teljesül, így az erősítés és CMRR értékek sem pontosan egyeznek meg a számítottal. Integrált áramkörökben 100 dB feletti CMRR értékek érhetők el.
Nagyjelű leírás
Érdemes a nagyjelű viselkedést is megvizsgálni, ami fontos ahhoz is, hogy láthassuk a használható jeltartományt. A kollektoráramokra felírhatjuk:
VBE1 és VBE2 különbsége Vd, így a kollektoráramok hányadosa:
Összegük a kis bázisáramok miatt közel I0, így IC2 = I0-IC1. Ennek felhasználásával
Végül fejezzük ki IC1 és I0 arányát:
Az alábbi grafikonnal szokás szemléltetni az átviteli karakterisztikát:
A piros szín IC1/I0-t, a kék IC2/I0-t mutatja.
Belső negatív visszacsatolás
Az átviteli karakterisztika viszonylag szűk tartományban tekinthető lineárisnak, a Vd<VT feltételnek elég egyértelműen teljesülnie kell. A tartomány növelhető áramvisszacsatolással, ahogy a közös emitteres erősítő esetén is. Erre megoldásokat az alábbi két kapcsolás mutat:
Hasonlóan számítható ki a kisjelű erősítés is. A vd kisjelű komponenssel közel azonos a T1 és T2 emitterei közti feszültségkülönbség, feltéve, hogy a bázis-emitter feszültség változása ennél jóval kisebb (ennek feltétele rBE≪(β+1)⋅2⋅RE). Az emitter (és ezzel a kollektoráramok) változása vd/(2⋅RE), az erősítés végül
Pontosabb értéket kapunk, ha figyelembe vesszük a bázis-emitter feszültségek változásait is:
Az alábbi grafikon szemlélteti RE hatását. Ha RE>0 Ω, akkor T1 és T2 bázis-emitter feszültségváltozása kisebb, mint Vd, a feszültségváltozás egy része az emitterköri ellenállásokon esik.
Bemeneti és kimeneti tulajdonságok
A differenciálerősítő bemenete a következő helyettesítő képpel jellemezhető:
Az áramgenerátorok a bemeneti munkaponti áramot reprezentálják, egyszerűbb elnevezéssel ezek a bemenő áramok. Mivel a kollektoráramok összege gyakorlatilag I0, egymástól csak kicsit különböznek a lineáris tartományban, így a bemeneti áramok értéke közelítőleg
A valóságos tranzisztorok nem teljesen egyformák, így ezek az áramok sem azok, a különbségüket offszetáramnak nevezik.
A közös módusú bemeneti ellenállások (rb1 és rb2) nagysága az áramvisszacsatolt közös emitteres kapcsoláshoz hasonlóan számíthatók ki. Esetünkben az emitterköri ellenállás az egyes ágakra vonatkozóan az áramgenerátor Rg belső ellenállásának kétszerese, ez a bázis felől (β+1)-szeresnek látszik, így:
Ha az emittereket áramvisszacsatoló RE ellenállások kötik össze, akkor Rg/2-höz RE-t hozzá kell adni.
Ha csak differenciális a vezérlés (VCM állandó), akkor az emitterek állandó feszültségen vannak, a vezérlő feszültség két részre oszlik, így az rd differenciális bementi ellenállásra ezt kapjuk:
Emitterköri áramvisszacsatoló RE ellenállások használata esetén:
Az egyes ágak kimeneti ellenállása megegyezik a közös emitteres kapcsoláshoz tartozó kimeneti ellenállással, értéke
Megjegyzések
A differenciálerősítő fontos komponense a műveleti erősítőknek, így nagyon gyakori az analóg elektronikában. Érdemes néhány tényre felhívni a figyelmet a megfelelően alkalmazás érdekében.
- Minél nagyobb az emitterekre kötött áramgenerátor belső ellenállása, annál kisebb a közös módusú erősítés, azaz annál nagyobb a közös módusú elnyomási arány.
- Az áramgenerátort tranzisztoros áramgenerátorral, áramtükörrel lehet megvalósítani. Egyszerűbb esetekben a negatív tápfeszültségre kötött ellenállás is helyettesítheti.
- A T1 és T2 tranzisztorok nem tökéletesen egyformák, ennek egyik következménye, hogy VBE1 és VBE2 nem pontosan egyenlő azonos kollektoráram mellett. Emiatt úgynevezett offszetfeszültség lép fel, nem nulla Vd mellett lesz azonos a két kollektoráram. Ma már választhatunk olyan integrált áramköröket, amelyeknél ez kellően kicsi, régebben korrigálás lehetett szükséges.
- A T1 és T2 tranzisztorok bázisába áramnak kell folynia a megfelelő működéshez, azaz a bemeneti feszültségek nem lehetnek lebegők, mert nem alkotnának zárt áramkört. Ennek megfelelően a differenciális bemenetek közé nem elég egy lebegő feszültséggenerátort kötni, mert nem fog az áramkör helyesen működni.
- A bemenetek egyrészt áramgenerátoros terhelést jelentenek a jelforrásokra, másrészt differenciális és közös módusú bementi ellenállással is számolnunk kell.
- A differenciálerősítő sok hasonlóságot mutat a közös emitteres erősítővel. Lényeges különbség, hogy a differenciálerősítő egyenfeszültségek erősítésére is használható.
FET differenciálerősítők
Térvezérlésű tranzisztorokkal nagy bemeneti ellenállású differenciálerősítők építhetők fel. Az elrendezés ugyanolyan, mint bipoláris tranzisztorok esetén, a kisjelű leírás összefüggései is átvehetők. Az alábbi ábra mutatja a FET-ekkel felépített differenciálerősítő alapáramkörét.
A differenciális erősítés értéke
A közös módusú erősítés (Rg az áramgenerátor belső ellenállása)
Ezek felhasználásával adódik a közös módusú elnyomás:
A kimeneti ellenállást az alábbi formulával adhatjuk meg:
A nagyjelű viselkedés eltér a bipoláris tranzisztorokkal felépített differenciálerősítőétől. A gate-ek közötti feszültségkülönbség:
Az ágáramok összege I0:
A térvezérlésű tranzisztorok nagyjelű viselkedését leíró egyenlet:
Más formában:
Ezzel:
Kiemelve \( \sqrt{ \frac {I_0}{I_{DSS}}} \)-t:
Láthatjuk, hogy I0 és IDSS arányától függ az, hogy a differenciális bemeneti feszültség milyen tartományú változása tartozik a kihasználható áramtartományhoz. Minél kisebb az áramgenerátor I0 árama, annál kisebb a bemeneti feszültségváltozás tartománya. Az alábbi grafikon szemlélteti I0 hatását. A piros szín ID1/I0-t, a kék ID2/I0-t mutatja.
Referenciák
- U. Tietze, C. Schenk, Analóg és digitális áramkörök, Műszaki Könyvkiadó, 1993
- U. Tietze, C. Schenk, E. Gamm, Electronic Circuits. Handbook for Design and Application, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2008
- Bipolar transistor - Electronics tutorials
- Bipolar junction transistor - Wikipedia
- Analog Devices, Electronics I and II
Szélessávú kapcsolások
A tranzisztorok működésének frekvenciatartományi elemzése segítségével adhatók meg olyan kapcsolások, melyek nagy sávszélességgel képesek működni, a lehető legjobban kihasználják a tranzisztorok nagyfrekvenciás tulajdonságait.
A tranzisztorok frekvenciatartományi leírása
A tranzisztorok áramerősítési tényezője frekvenciafüggő, és parazita kapacitások is vannak a kivezetései között, amelyek külső ellenállásokkal együtt aluláteresztő szűrőket formálnak. Különböző kapcsolások esetén más és más hatással kell számolni.
Az áramerősítési tényező frekvenciafüggését az alábbi módon írhatjuk le:
A sávszélesség fp, ez az átviteli karakterisztika töréspontja, ahol 3dB-nyit esik az erősítés. A tranzisztorok adatlapjában az fT tranzitfrekvenciát adják meg, ami az a frekvencia, ahol az áramerősítési tényező értéke 1-re csökken, így:
Ennek alapján fT-t erősítés sávszélesség szorzatnak is nevezik.
A hibrid-π modell (Giacoletto-modell) használható a frekvenciatartományi leírás megadására különböző kapcsolások esetén. Az alábbi helyettesítő kapcsolás a közös emitteres kapcsoláshoz tartozik:
Áramgenerátoros bemeneti jelforrás esetén az iB bázisáram szabja meg a kollektoráramot, így a frekvenciafüggést β(f) határozza meg:
Ha a bázist feszültséggenerátorról hajtjuk meg, akkor a jel az rBB' és rB'E feszültségosztón jut a CE kondenzátorra (CC és rB'C hatását elhanyagolhatónak véve). A bázis rétegellenállása jóval kisebb rB'E-nél, így a feszültségosztó ekvivalens Thevenin-ellenállása:
Ezzel a sávszélesség
Ez határozza meg a meredekség frekvenciafüggését, azaz
A meredekség sávszélessége jóval nagyobb, mint az áramerősítési tényezőé.
Földelt bázisú kapcsolásnál is ezt az eredményt kapjuk, mivel ugyanazon két kivezetés közé kapcsoljuk a jelet.
Az emitterkövető kapcsolásnál az emitter árama közel azonos a kollektorárammal, amíg β(f)≫1. Jelentősen csökkenni tehát akkor fog, amikor az fT tranzitfrekvenciát elérjük, így a sávszélessége közel fT. Terhelés hatására a sávszélesség csökken.
A közös emitteres kapcsolás modellje
A közös emitteres kapcsolásnál a szórt kapacitások hatása számottevő lehet, mivel a forrásellenállásokkal együtt aluláteresztő szűrőket hoznak létre.
Rs aluláteresztőt szűrőt képez a C1,C2 és C3 kondenzátorokkal, RC pedig a C3 és C4 kapacitásokkal.
Miller-effektus
A bemeneti oldal felől a kapacitások eredője C1+C2+(1+A)⋅C3, ahol A a bázisfeszültség erősítésének abszolút értéke. Ez utóbbi a Miller-effektus, ami alapján a kapacitás megszorozva jelenik meg a bemeneti oldalon. Ennek az oka az, hogy a kapacitáson a bemeneti feszültség (1+A)-szorosa jelenik meg. Tegyük fel, hogy egy impedancia egyik oldalán levő feszültség -A-szorosa jelenik meg a másik végén, azaz Vout=-A⋅Vin:
Az áramot egyszerűen megkaphatjuk az egyik feszültség felhasználásával:
Ennek alapján meghatározhatjuk, mekkora a Zin látszólagos impedancia terheli a bemeneti oldali jelforrást:
Mivel a kondenzátor impedanciája fordítottan arányos a kapacitással, így a hatás a kapacitás megnövelésével ekvivalens. Emiatt közös emitteres kapcsolások esetén nagyobb erősítések mellett a sávszélesség jelentősen lecsökkenhet.
Kaszkód kapcsolás
Kaszkód kapcsolásoknál tranzisztorok sorosan kapcsolódnak, a fő cél a nagy sávszélesség elérése. Egy egyszerű példát mutat erre az alábbi áramkör:
A működés megértését jól segíti a tranzisztorok kisjelű modelljeinek alkalmazása. A Q1 tranzisztort T-modellel, Q2-t a szokásos hibrid-π modellel helyettesítve, a V+, V- és V0 DC feszültségeket AC szempontból 0 V-nak választva az alábbi áramkört kapjuk:
A két tranzisztor paramétereit (rBE, rE, β gm) azonosnak tekintjuk. Q2 közös emitteres kapcsolású, Q1 pedig Q2 kollektoráramával vezérelt közös bázisú módban működik, mivel a V0 segédfeszültség állandó.
Q1 emitteroldali ellenállása
Ez az ellenállás Q2 kollektorköri ellenállása egyben a közös emitteres kapcsolást formálva. A Q2 tranzisztoros bemeneti fokozat feszültségerősítése ezért egységnyi
Az egységnyi erősítés miatt a Miller-effektus nem korlátozza a sávszélességet.
A Q1 tranzisztoros közös bázisú kapcsolás erősítése
így végül az eredő erősítés
Ez éppen annyi, mint a közös emitteres kapcsolásé.
Szélessávú differenciálerősítők
Differenciálerősítő szélessávú fokozatként
A fentebbi kaszkód kapcsolásnál közös emitteres fokozat hajtja meg a kis bemeneti ellenállású közös bázisú erősítőt. Ilyen célra használható emitterkövető fokozat is, amivel differenciálerősítőként épül fel a kapcsolás, ahogy az alábbi ábra mutatja.
A két tranzisztor munkaponti kollektorárama közelítőleg azonos, így a meredekségeik is azonosak. Az emitterkövető kimeneti ellenállása ezért megegyezik a közös bázisú fokozat bementi ellenállásával, az emittereken a Vin bementi feszültség fele jelenik meg. Az erősítés ezért
A kimeneti ellenállás közelítőleg RC-vel egyezik meg.
Kaszkód differenciálerősítő
Differenciálerősítő-fokozatokat is felépíthetünk kaszkód elrendezésben. A cél most is az, hogy elkerüljük a Miller-hatást, ami jelentősen lecsökkenti a sávszélességet, ezért a T1,T3 és T2,T4 tranzisztorokat kaszkód elrendezésben használjuk.
Az emitterköri ellenállások negatív áramvisszacsatolást valósítanak meg, ezzel lényegében redukáljuk a bemeneti jelre jutó meredekséget, T1 és T2 kollektorárama kisebb mértékben változik a bázisfeszültség hatására:
Ezzel egyben a sávszélesség is nő. Ezt úgy láthatjuk be, hogy a redukált meredekséget kifejezzük a meredekség frekvenciafüggő képletével:
Szorozzuk meg a számlálót és nevezőt is gm-mel:
Osszuk el a számlálót és nevezőt is az \( 1 + g_m \cdot R_E \) mennyiséggel:
Ezt a következő alakban írhatjuk fel:
ahol a redukált meredekség határfrekvenciája
és
A negatív visszacsatolás mellett tehát a határfrekvencia is megnő. Ha egy erősítő több fokozatból épül fel, akkor az utolsó fokozat kimenetét visszavezetve a bemeneti fokozatra negatív visszacsatolást hozhatunk létre. Az egyes fokozatok fázistolása viszont összegződik, ezért a negatív visszacsatolás pozitívvá is válhat, az erősítő oszcillálni fog. Ezért a stabilitás érdekében, szélessávú erősítőknél tipikusan az egyes fokozatok már eleve rendelkeznek negatív visszacsatolással, egyúttal beállított - tipikusan kisebb - erősítéssel.
Teljesítmény-fokozatok
A teljesítmény-fokozatok célja a terhelés számára megfelelő teljesítmény biztosítása. Előnyös a nagy bemeneti és kis kimeneti ellenállás, a nagy kimeneti áram, jó linearitás, magas hatásfok.
Emitterkövető - A osztály
A legegyszerűbb teljesítményfokozat az emitterkövető. Az ábrán egy két tápfeszültséget használó elrendezés látható, de találkozhatunk olyan változattal is, ahol V-=0 V, a terhelésre DC-leválasztó kondenzátoron keresztül is juthat a feszültség.
Ez egy A osztályú erősítő, a tranzisztor folyamatosan vezet, jelentős munkaponti árama van, és a fogyasztóra a tápforrásból felvett teljesítménynek elég kis része jut csak, azaz a hatásfok kicsi.
Az egyszerűség kedvéért tegyük fel, hogy a pozitív és negatív tápfeszültségek nagysága azonos:
A teljesítményviszonyokat elég egyszerű kiszámítani. Az RL és RE ellenálláson átfolyó áram
A két ellenállás által felvett teljesítmény a rajtuk eső feszültség és áram szorzata:
A tranzisztor emitterárama a csomóponti törvény alapján IRL+IRE, a kollektor-emitter feszültsége pedig Vs-Vout. A tranzisztoron a teljesítmény VCE⋅IE formában adható meg (a bázisáram sokkal kisebb, mint az emitteráram), azaz
A tápegységből felvett teljesítmény ennek a három teljesítménynek az összege, amire ezt kapjuk:
Az első tag a nyugalmi teljesítményfelvétel, ami nulla kimenő feszültséghez tartozik. Érdekes eredmény, hogy akkor is ennyi marad a teljesítményfelvétel, ha a kimenő jel szinuszos, mert az egy periódusra vett átlagértéke a második két tagnak nulla marad.
Ha Vout a szinuszos kimenő jel amplitúdója, akkor az RL ellenállással szimbolizált fogyasztóra jutó átlagteljesítmény
Mivel az emitteren a feszültség nem lehet kisebb, mint -Vs⋅RL/(RL+RE) - ekkor lesz nulla az emitteráram -, a Vout amplitúdó maximuma ennek az abszolútértéke. A fogyasztóra leadható legnagyobb teljesítmény ezért
Az impedanciaillesztés feladata az, hogy úgy válasszuk meg az impedanciák (itt RL és RE) értékeit, hogy a fogyasztóra a lehető legnagyobb teljesítmény jusson a tápforrásból, azaz a hatásfok maximális legyen. Ez akkor teljesül a fenti esetben, ha RL=RE, amit szélsőértékszámítással (dPRL,max/dRL=0) kaphatunk meg. Ekkor
A hatásfok tehát ekkor maximális, értékét úgy kaphatjuk meg, hogy ezt elosztjuk a tápegységből felvett teljesítménnyel, azaz 2⋅Vs2/RE-vel. A hatásfok végül:
Ellenütemű emitterkövető - B osztály
Az A osztályú emitterkövető az alacsony hatásfok mellett egy további hátránnyal rendelkezik. Ha a kimeneti feszültség egyre negatívabb, a fogyasztó áramának egyre nagyobb része az RE ellenálláson keresztül folyik, egyre kevesebbet biztosít a tranzisztor. Ez jelentősen korlátozza az elérhető áramtartományt, de aszimmetrikus működést is jelent, pozitív kimeneti feszültségeknél jóval kisebb a kimeneti ellenállása az emitterkövetőnek (nő a kollektoráram és ezzel rE=1/gm csökken). Ez torzításhoz is vezet.
Ezeken a problémákon segít az alábbi úgynevezett ellenütemű emitterkövető (más néven komplementer emitterkövető) kapcsolás.
A kétféle tranzisztor szimmetrikus működést és nagy áramot biztosít pozitív és negatív kimeneti feszültségek esetén is. Egyszerre csak egy tranzisztor vezet, a másik teljesen lezár, ez a B osztályú működésnek felel meg. Ha a bemenő jel a tranzisztorok nyitófeszültsége alá esik (kb. -0.7V..0.7V), akkor egyik tranzisztor sem vezet, így a kimeneten 0V-hoz közeli érték jelenik meg. Ezt keresztezési torzításnak (crossover distortion) nevezik, az erősítés ebben a tartományban közel nulla.
Ennél az áramkörnél nincs szükség és mód impedanciaillesztésre, a kimenő teljesítmény fordítottan arányos a terhelő ellenállással. A hatásfok akkor a legnagyobb, amikor a legnagyobb kivezérlést alkalmazzuk, azaz amikor a kimeneti amplitúdót a tápfeszültséggel közel azonosnak vesszük (a kollektor-emitter szaturációs feszültséget a tápfeszültséghez képest elhagyhatónak vesszük).
Vout amplitúdójú szinuszos kimeneti jelre tehát a fogyasztóra jutó teljesítmény
Az egyszerűség kedvéért tegyük most is fel, hogy a pozitív és negatív tápfeszültségek nagysága azonos:
Az egyik félperiódusban csak az egyik tranzisztorra jut teljesítményfelvétel, így először ezt számítjuk ki, majd vesszük ennek kétszeresét. A tranzisztoron a teljesítmény a tranzisztoron eső feszültség és a rajta átfolyó áram szorzata (ami egyben a terhelésen átfolyó áram):
Helyettesítsük be a Vout⋅sin(2π⋅f⋅t) kifejezést, majd integráljunk a periódusidő felére. Ezzel az egyik tranzisztorra jutó teljesítményfelvétel
A maximális kivezérlésnél Vout≈Vs, így a két tranzisztoron ekkor összesen a teljesítményfelvétel:
A terhelésen:
A tápegységből felvett teljesítmény a kettő összege:
A hatásfok:
A számolás egyszerűen módosítható általános esetekre, amikor nem a legnagyobb kivezérlés mellett használjuk az áramkört.
Ellenütemű emitterkövető - AB osztály
Jelentősen lecsökkenthető a keresztezési torzítás úgy, hogy nem engedjük a tranzisztorokat teljesen lezárni akkor sem, ha a bementi feszültség a nyitófeszültség alá esik. Ezt úgy oldjuk meg, hogy a bemeneti feszültséghez segédfeszültségeket adunk - szinteltolást alkalmazunk - és ezt vezetjük a tranzisztorok bázisára. Ennek egyik módja látható az alábbi ábrán:
A diódákon eső feszültségek hozzáadódnak a bemeneti feszültséghez és megakadályozzák a tranzisztorok teljes lezárását. Ez az A és B osztály közötti működés, ezért az AB osztály elnevezést kapta.
Diódák helyett előnyösebb tranzisztorokat emitterkövető kapcsolásban használni a szinteltolások megoldására, ekkor lényegesen nagyobb a bemeneti ellenállás:
Akár diódákat, akár tranzisztorokat használunk, fontos, hogy ezek azonos hőmérsékleten legyenek a végfokozati tranzisztorokkal (nagy teljesítmények esetén azonos hűtőbordán), mert így biztosítható, hogy a hőmérséklet növekedésével járó nyitófeszültség-csökkenés (≈-2mV/K) nem okozza az áram további növekedését, és ezzel túlmelegedést.
Egy további lehetőséget mutat szinteltolásra az alábbi áramkör:
Az R2 ellenálláson a tranzisztor VBE bázis-emitter feszültsége esik, és ha a bázisáram jóval kisebb, mint az ellenállásokon átfolyó áram, akkor az R1 és R2 ellenállásokon is közel egyforma áram folyik át, így a két végpont közötti feszültség:
Ennek megfelelően alábbi kapcsolásban a T3 tranzisztor biztosítja a két kimeneti tranzisztor bázisai közötti feszültségkülönbséget. Ezzel rugalmasabb a beállítás és ha R1 NTC termisztor, akkor éppen alkalmas a hőmérsékleti megfutás megakadályozására is.
Áramhatárolás
A teljesítményfokozatok nagy áram leadására képesek, ami túlterhelés esetén akár károsodást is okozhat. Többféle elektronikus áramhatárolási megoldás létezik, egyet mutat be az alábbi ábra:
Ha az áram értéke olyan nagy, hogy az RE ellenállásokon létrejövő feszültség eléri T3 illetve T4 nyitófeszültségét, akkor ezek a tranzisztorok megakadályozzák a kimeneti tranzisztorok bázis-emitter feszültségének növekedését, és ezzel az emitteráramot korlátozzák.
A T3 és T4 tranzisztorok helyett több sorba kötött diódát is használhatunk (a kollektor-emitter csatlakozási pontok között), de ekkor számítani fog a kimeneti tranzisztorok terhelés- és hőmérsékletfüggő bázis-emitter feszültsége is, így ez kevésbé szerencsés megoldás.
Referenciák
- U. Tietze, C. Schenk, Analóg és digitális áramkörök, Műszaki Könyvkiadó, 1993
- U. Tietze, C. Schenk, E. Gamm, Electronic Circuits. Handbook for Design and Application, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2008
- Power amplifier classes
- Analog Devices, Electronics I and II